Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Kugel K., Kagan M., Rakhmanov A. et al.
Vol. 201. Cham: Springer, 2024.
Lvov A., Razakova A., Shurakov A. et al.
IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters. 2025. Vol. 24. No. 1. P. 88-92.
In bk.: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). IEEE, 2024. P. 1-4.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
Докладчик: Гайдученко Игорь Андреевич, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник, доцент МГПУ; научный сотрудник, доцент департамента электронной инженерии МИЭМ.
Аннотация:
Растущие требования к передаче данных требуют увеличения пропускной способности телекоммуникационных сетей и межсоединений в дата-центрах в совокупности с уменьшением энергопотребления и стоимости элементов. Дорожная карта Ethernet (Ethernet Alliance - The 2019 Ethernet Roadmap. https://ethernetalliance.org/technology/2019-roadmap/) предусматривает удвоение полосы пропускания примерно каждые два года. Это предполагает разработку приемопередатчика, работающего со скоростью 1,6 Тб/с. Несмотря на то что существующие технологии на базе полупроводников постоянно совершенствуется, в настоящий момент система, удовлетворяющая грядущим требованиям пропускной способности и энергопотребления, еще не разработана.
Перспективным материалом для разработки нового поколения радиофотонных устройств является однослойный графен. Благодаря бесщелевой зонной структуре, высокой подвижности носителей заряда графен рассматривается как перспективный материал для создания ультрабыстрых детекторов электромагнитного излучения в широком спектральном диапазоне: от видимого до терагерцового. Слабая электрон-фононная связь в совокупности с рекордно малой теплоемкостью графена приводят к сильному разогреву его электронной подсистемы под воздействием падающего электромагнитного излучения и, как следствие, сигналу термо-ЭДС. Фото-термоэлектрический эффект в графене позволяет потенциально достичь высокой вольт-ваттной чувствительности и быстродействия вплоть до пикосекунд (т.е. полосы пропускания до 500 ГГц) уже при комнатной температуре.
Уже первые реализации фотодетекторов на основе графена показали перспективность данного направления. Однако, несмотря на значительные первые успехи, характеристики детекторов на основе графена все еще отстают от коммерчески доступных (прежде всего по чувствительности). Для практической реализации этих потенциальных возможностей необходимо решить ряд фундаментальных и инженерных задач, а именно: исследовать динамику охлаждения электронной подсистемы графена, выведенную из равновесия электромагнитным излучением и определяющую внутренние фундаментальные характеристики устройства, а также исследовать возможности интеграции графена в перспективные радиофотонные устройства. В данном докладе будут представлены наши последние результаты на пути решения этих и других задач, необходимых для создания нового пути поколения фотодетекторов на основе графена.
Язык мероприятия: русский.
Время проведения: 30 ноября 2023 г. с 14.00 до 15.30.
Семинар состоится в режиме онлайн по ссылке:
https://meet.miem.hse.ru/321