• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
ФКН
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Книга
Integral Robot Technologies and Speech Behavior

Kharlamov A. A., Pantiukhin D., Borisov V. et al.

Newcastle upon Tyne: Cambridge Scholars Publishing, 2024.

Глава в книге
Quasi-3D Thermal Modelling of Advanced Electronic Systems in Package

Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov.

In bk.: Theory and Applications of Engineering Research Vol. 3. Vol. 3: Theory and Applications of Engineering Research. Kolkata: B P International, 2024. Ch. 6. P. 120-156.

Препринт
Памяти Александра Фёдоровича Андреева

Дмитриев В., Каган М. Ю., Каменский В. и др.

Персоналии УФН. 01.60.+q. Физический Институт имени П.Н, Лебедева, 2023. № 8.

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Фотодетекторы на основе новых двумерных материалов".

16+
Мероприятие завершено

Докладчик: Гайдученко Игорь Андреевич, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник, доцент  МГПУ; научный сотрудник, доцент департамента электронной инженерии МИЭМ.

 Аннотация: 

 Растущие требования к передаче данных требуют увеличения пропускной способности телекоммуникационных сетей и межсоединений в дата-центрах в совокупности с уменьшением энергопотребления и стоимости элементов. Дорожная карта Ethernet (Ethernet Alliance - The 2019 Ethernet Roadmap. https://ethernetalliance.org/technology/2019-roadmap/) предусматривает удвоение полосы пропускания примерно каждые два года. Это предполагает разработку приемопередатчика, работающего со скоростью 1,6 Тб/с. Несмотря на то что существующие технологии на базе полупроводников постоянно совершенствуется, в настоящий момент система, удовлетворяющая грядущим требованиям пропускной способности и энергопотребления, еще не разработана.

Перспективным материалом для разработки нового поколения радиофотонных устройств является однослойный графен. Благодаря бесщелевой зонной структуре, высокой подвижности носителей заряда графен рассматривается как перспективный материал для создания ультрабыстрых детекторов электромагнитного излучения в широком спектральном диапазоне: от видимого до терагерцового. Слабая электрон-фононная связь в совокупности с рекордно малой теплоемкостью графена приводят к сильному разогреву его электронной подсистемы под воздействием падающего электромагнитного излучения и, как следствие, сигналу термо-ЭДС. Фото-термоэлектрический эффект в графене позволяет потенциально достичь высокой вольт-ваттной чувствительности и быстродействия вплоть до пикосекунд (т.е. полосы пропускания до 500 ГГц) уже при комнатной температуре.

Уже первые реализации фотодетекторов на основе графена показали перспективность данного направления. Однако, несмотря на значительные первые успехи, характеристики детекторов на основе графена все еще отстают от коммерчески доступных (прежде всего по чувствительности). Для практической реализации этих потенциальных возможностей необходимо решить ряд фундаментальных и инженерных задач, а именно: исследовать динамику охлаждения электронной подсистемы графена, выведенную из равновесия электромагнитным излучением и определяющую внутренние фундаментальные характеристики устройства, а также исследовать возможности интеграции графена в перспективные радиофотонные устройства. В данном докладе будут представлены наши последние результаты на пути решения этих и других задач, необходимых для создания нового пути поколения фотодетекторов на основе графена.


Язык мероприятия: русский.

 

Время проведения: 30 ноября 2023 г. с 14.00 до 15.30.

Семинар состоится в режиме онлайн по ссылке:

https://meet.miem.hse.ru/321