- A
- A
- A
- АБB
- АБB
- АБB
- А
- А
- А
- А
- А
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
- «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информационная безопасность» (бакалавриат)
- «Прикладная электроника и фотоника», «Интернет вещей и киберфизические системы», «Информационная безопасность киберфизических систем», «Кибербезопасность» (магистратура).
Инфокоммуникационные технологии и системы связи
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
Информационная безопасность
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Материаловедение: учебник для вузов
Бондаренко Г. Г., Кабанова Т. А., Рыбалко В. В.
М.: Юрайт, 2024.
Вестник электронных и печатных СМИ. 2024. Т. 37. № 1. С. 21-42.
Rahul Gupta, A.A. Yelizarov, I.V. Nazarov et al.
In bk.: 2024 Systems of signals generating and processing in the field of on board communications. IEEE, 2024. P. 1-5.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности.
Докладчик: Силкин Денис Сергеевич, к.т.н., доцент департамента электронной инженерии.
Тема доклада: TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности.
Аннотация: Доклад посвящён вопросам разработки и применения TCAD-моделей современных электронных компонентов. Представлены наработки в создании библиотеки типовых полуавтоматизированных TCAD-моделей, предназначенных для исследования влияния параметров структур на работу полупроводниковых приборов, а также исследования поведения полупроводниковых приборов под воздействием таких внешних факторов, как изменение температуры, гамма-облучение или удары тяжёлых заряженных частиц.
Язык мероприятия: русский.
Время проведения: с 14.00 до 15.30.
Семинар состоится в режиме онлайн по ссылке: https://meet.miem.hse.ru/321