Публикации
Johnson noise thermometry of CVD graphene bolometers
В рамках данной работы был проведен анализ релаксация тепла в графене, синтезированном методом химического осаждения их газовой фазы (CVD) при температуре 4,2 К. В качестве данных для проведения анализа были использованы результаты эксперимента по шумовой термометрии Джонсона-Найквиста для прямого измерения температуры электронов в графене. Результаты исследования показали, что электрон-фононная теплопроводность имеет степенную зависимость от температуры T4, что не характерно для CVD графена и может свидетельствовать о его сильной разупорядоченности. Bondareva P.I., Shein K.V., Lyubchak A.N., Izmaylov R.I., Baeva E.M., Goltsman G.N., Gayduchenko I.A., Johnson noise thermometry of CVD graphene bolometers, St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 17 (3.2) (2024)
Towards the realization of NbSe2 NIR photodetectors integrated on a silicon nitride waveguide
Впервые были изготовлены экспериментальные образцы фотодетекторов, интегрированных на оптический волновод, на основе диселенида ниобия. Были проведены транспортные измерения на протравленном устройстве NbSe2. Для оценки оптической чувствительности были измерены вольт-амперные характеристики в двухконтактной конфигурации под действием излучения с длиной волны 1550 нм при температуре ванны Tb = 2,5 К. Оптическое волокно, расположенное на расстоянии 1 см от образца и сфокусированное в его центре, служило источником излучения из свободного пространства. Полученные высокие значения оптической чувствительности демонстрируют потенциал этого материала для применения в качестве фотодетектора, интегрированного на волновод.Shein K.V., Lyubchak A.N., Zharkova E., Bandurin D.A., Charaev I., Gayduchenko I.A., Goltsman G.N., Towards the realization of NbSe2 NIR photodetectors integrated on a silicon nitride waveguide, St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 17 (3.2) (2024).
Graphene photodetector integrated on an optical waveguide
Была разработана простая технология изготовления фотодетектора ближнего ИК диапазона (1,55 мкм) на основе CVD графена, интегрированного на оптический волновод. Совместимость технологии с существующими фотонными платформами в сочетании с широкополосными характеристиками изготовленных детекторов (не менее 1 ГГц) делает их перспективными компонентами для будущих высокоскоростных телекоммуникационных систем. BONDAREVA, P.I., SHEIN, K.V., TITCHENKO, A.N., IZMAYLOV, R.I., GAYDUCHENKO, I.A. and GOLTSMAN, G.N.. Graphene photodetector integrated on an optical waveguide. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 18 (3.2) (2025)
Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.