Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
80 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
70 платных мест
5 платных мест для иностранцев
80 бюджетных мест
1 государственная стипендия Правительства РФ для иностранцев
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
IEEE, 2026.
Losev A., Filyaev A., Zavodilenko V. V. et al.
Sensors. 2026. Vol. 26. No. 4. P. 1228.
In bk.: Proceedings of the 2026 8th International Youth Conference on Radio Electronics, Electrical and Power Engineering (REEPE). IEEE, 2026. Ch. 165. P. 1-6.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

15 января 2026 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "О результатах стажировки в Институте функциональных интеллектуальных материалов (Национальный университет Сингапура)" выступил к.ф.-м.н., доцент, старший научный сотрудник департамента электронной инженерии МИЭМ, старший научный сотрудник МПГУ Гайдученко Игорь Андреевич.
В докладе были представлены основные результаты стажировки Гайдученко И.А. в Институте функциональных интеллектуальных материалов (Национальный университет Сингапура). Национальный университет Сингапура занимает 8-е место в рейтинге университетов мира QS 2026 и 17-е место в рейтинге университетов мира Times Higher Education (THE) 2025. В предметном рейтинге университетов мира Times Higher Education (THE) 2024 года НУС достиг высоких мировых рейтингов по нескольким предметам, заняв 11-е место по информатике, 9-е место по инженерии. В результате стаживровки:
• Был приобретён уникальный опыт организации научно-исследовательского инженерного центра мирового уровня на примере The Institute for Functional Intelligent Materials (Институт функциональных интеллектуальных материалов), возглавляемого нобелевским лауреатом К. Новоселовым.
• Был приобретён опыт работы на уникальном технологическом и исследовательском оборудовании. В частности, опыт работы с оптическим криостатом Opticool by Quantum Design, позволяющим проводить оптические эксперименты в широком диапазоне температур (1,7 – 300 К) в магнитном поле.
• Был повышена квалификация в области исследования новых функциональных материалов для электроники, фотоники и квантовых технологий. Была проведена серия экспериментов по исследованию характеристик болометров на основе джозефсоновских контактов к графену. Полученные данные свидетельствуют, что исследуемые структуры демонстрируют конкурентноспособные характеристики.
• Был проработан план возможных совместных исследований и возможность подачи заявки на грант Минобрнауки.
• Была проработана возможность организации регулярных стажировок студентов и аспирантов НИУ ВШЭ в лабораториях Института функциональных интеллектуальных материалов для обучения работе на современном технологическом оборудовании.
Стажировка прошла эффективно и позволила вживую посмотреть на работку инженерного подразделения Национального университета Сингапура, входящего в топ 10 университетов мира по ведущим рейтингам. Полученный опыт будет использоваться в развитии МИЭМ ВШЭ и выведении МИЭМ в лидера инженерного образования.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Львова Б.Г., Грачева Н.Н., Кофанова Ю.Н., заместителя директора МИЭМ Лощилова А.Г.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://yadi.sk/d/MDr_56XWWi91NA