• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Очередной семинар с приглашенным докладчиком из ИМЕТ РАН, МИСИС

"Некоторые вопросы физики магнитотермоэлектрических эффектов в полупроводниках" Докладчик: М.В. Железный

Семинар_Железный (PDF, 1.80 Мб) 
В работе представлена усовершенствованная теоретическая модель для расчета коэффициента Зеебека в полупроводниках в условиях воздействия магнитного поля произвольной ориентации. Модель разработана для невырожденных полупроводников n-типа в приближении слабых магнитных полей, где не проявляются квантующие эффекты. Ключевым допущением является использование параболического анизотропного закона дисперсии энергии, что позволяет адекватно описывать перенос заряда в кристаллах с анизотропной зонной структурой. Валидация модели на экспериментальных данных для монокристаллического германия продемонстрировала хорошее количественное согласие, подтверждая адекватность и применимость подхода для прогнозирования термоэлектрических параметров в магнитном поле. Исследование также затрагивает анализ магнито-термоэлектрических эффектов, включая магнито-Зеебека и Нернста.