- A
- A
- A
- АБB
- АБB
- АБB
- А
- А
- А
- А
- А
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
- «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информационная безопасность» (бакалавриат)
- «Прикладная электроника и фотоника», «Интернет вещей и киберфизические системы», «Информационная безопасность киберфизических систем», «Кибербезопасность» (магистратура).
Инфокоммуникационные технологии и системы связи
65 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
Информационная безопасность
60 бюджетных мест
10 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
60 платных мест
10 платных мест для иностранцев
Bankov D., Khorov E., Krasilov A. et al.
IEEE Wireless Communications Letters. 2023. P. 1-5.
Просвиров В. А., Али А., Мокров Е. В.
В кн.: Информационно-телекоммуникационные технологии и математическое моделирование высокотехнологичных систем: материалы Всероссийской конференции с международным участием, Москва, РУДН, 17–21 апреля 2023 г.. М.: Российский университет дружбы народов, 2023. С. 277-282.
Pugach N., Safonchik M. O., Belotelov V. et al.
cond-mat, 2022. No. 2110.00369.
Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов".
30 марта состоится научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.
Докладчик: Кожухов Максим Владимирович, к.т.н., доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, начальник лаборатории АО «Корпорация "ВНИИЭМ"».
Тема доклада:
Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов.
Аннотация:
Современная электронная компонентная база, разрабатываемая для аппаратуры специального назначения (космических систем, военной техники и атомной энергетики), требует повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ), таким как проникающая радиация, высокие и низкие температуры и др. Поэтому для обеспечения высоких уровней стойкости к ВВФ важно применение современных подходов к ее проектированию, которые могут быть обеспечены схемотехническими и приборно-технологическими САПР.
В докладе будут представлены:
– источники проникающей радиации и радиационные эффекты, возникающие при воздействии ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы;
– влияние ионизирующих излучений на структуру, электрофизические и электрические характеристики полупроводниковых приборов;
– современное состояние приборно-технологических и схемотехнических моделей, позволяющих учитывать радиационные и тепловые эффекты в полупроводниковых приборах.
Язык мероприятия: русский.
Время проведения: 30 марта 2023 г. с 14.30 до 16.00.
Семинар состоится в режиме онлайн по ссылке:
https://meet.miem.hse.ru/321