Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Под редакцией: И. А. Иванов
Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2024.
Мельман А. С., Евсютин О. О., Сенюкова О. Е.
Компьютерная оптика. 2025. Т. 49. № 2. С. 273-281.
In bk.: 2024 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics). IEEE. NY: IEEE Advancing Technology for Humanity, 2024. Ch. 1. P. 1-8.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ объявляет о дополнительном наборе студентов (бакалавриата или магистратуры) и аспирантов НИУ ВШЭ для выполнения работ в рамках проекта «Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения» Тематического плана научно-исследовательских работ, предусмотренных Государственным заданием НИУ ВШЭ на 2019 год.
1. Обработка результатов измерений характеристик элементной базы стойких схем космического назначения.
20 часов в неделю, 1 человек
Суть работы:
Необходимо провести измерения и последующую обработку результатов измерений характеристик элементной базы стойких схем после воздействия низко интенсивного излучения. Обработка включает в себя: анализ разбросов результатов измерений, анализ изменения характеристик после воздействия излучения, построение графиков зависимостей, описание измеренных характеристик с помощью математических моделей.
Требования к претенденту: знание электроники, умение работать с данными измерений, умение рассчитывать характеристики схем
2. Расчет характеристик элементной базы источников питания сверх длительного срока службы.
20 часов в неделю, 2 человека
Суть работы:
Необходимо проводить расчеты характеристик элементной базы источников питания, работающих за счет энергии распада частиц. Расчеты должны вестись с использованием пакета приборно-технологического моделирования TCAD. Необходимо рассчитать вольт-амперные характеристики преобразователей, реализованных на различных полупроводниковых материалах, их эффективность, к.п.д.
Срок записи на проекты: до 12 марта 2019г.
Сроки реализации проектов: с 1 апреля по 30 декабря 2019 г.
Контактное лицо: Харитонов Игорь Анатольевич; тел.: 8(916) 314 04 61; почта: ikharitonov@hse.ru