• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Московский институт электроники
и математики им. А.Н. Тихонова

Математическое моделирование и автоматизация проектирования электронной компонентной базы

Направление реализуется на базе лабораторий Департамента электронной инженерии МИЭМ и учебно-научных центров компаний Mentor Graphics и Synopsys. Организационно оно оформлено в виде двух постоянно действующих семинаров для студентов, аспирантов и практических специалистов:

  • Моделирование и проектирование радиационно-  и температуростойких электронных компонентов (Петросянц К.О.).
  • Методы и средства измерений свойств материалов и приборов электроники и фотоники (Лысенко А.П., Харитонов И.А.).

Наиболее существенные научные достижения:

По признанию ведущих отечественных и зарубежных ученых и специалистов  коллектив занимает лидирующие позиции в области моделирования полупроводниковых (п/п) приборов и микросхем, работающих в жестких условиях действия радиации и температуры.

Решаемые задачи:

  • Создание численных математических моделей, описывающих физические процессы в 2-х и 3-х мерных структурах п/п приборов и элементов ИС (TCAD моделей ).
  • Создание компактных моделей п/п приборов для расчета электрических схем методами теории цепей (SPICE моделей ).
  • Включение моделей в современные приборно-технологические и схемотехнические САПР.
  • Экспериментальное исследование электрических, радиационных и тепловых характеристик п/п приборов, микросхем, БИС, систем  на печатных платах .
  • Выполнение реальных проектов по заказам ведущих отечественных предприятий.

Область применения результатов охватывает электронику таких ключевых отраслей народного хозяйства  и обороны страны, как: авто-  и авиапром, ракетно-космический комплекс, энергетика (в т.ч, ядерная), нефтяная и газовая отрасли, специальное машиностроение, телекоммуникации и связь, военная техника и др. Модели, разработанные коллективом, используются на предприятиях Росатома, Роскосмоса, Электронпрома и др. при проектировании п/п приборов и схем, обладающих повышенным запасом надежности.

Академические и промышленные партнеры: ИППМ РАН, НИИСИ РАН, АО «Нанотехно-логический центр» (г. Зеленоград), ОАО НПП «Пульсар», ФГУП ВНИИА, ФГУП ФНПЦ НИИИС (г. Н. Новгород), ОАО НПО ИТ (г. Королев).

Наиболее значимые публикации за 2013- 2016 г.г. :

1) в изданиях WoS, Scopus – 15 публ.; 2) ВАК РФ -  7 публ.; 3) кол-во грантов НИУ ВШЭ, РФФИ – 5;  4)  география конференций WoS,  Scopus : США (2 конф.), Италия (4 конф.), Бразилия, Испания, Чехия (3 конф.), Эстония .

Контактная информация:

Петросянц Константин Орестович, kpetrosyants@hse.ru, (495) 772-95-90*15208