• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Московский институт электроники
и математики им. А.Н. Тихонова

Семинар по механике, управлению и информатике совместно с ИКИ РАН

6+
Мероприятие завершено

28 октября 2020 года в 15-00 в МИЭМ совместно с ИКИ РАН состоится семинар по механике, управлению и информатике.

Имеется возможность удаленного участия в заседании через конференцию Zoom. Ссылка для подключения к конференции: 

https://zoom.us/j/93192876466?pwd=RWppZ1pVTldCRzBYcnJwZmZnVGduQT09

Идентификатор конференции: 931 9287 6466 Код доступа: 675222

 

Программа заседания:

К.О. Петросянц (МИЭМ НИУ ВШЭ). TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и компонентов биполярных и КМОП СБИС с учетом радиационных и температурных эффектов

Аннотация доклада:

Рассматриваются две библиотеки моделей микроэлектронных компонентов, разработанные коллективом МИЭМ НИУ ВШЭ и встроенные в промышленные САПР БИС ряда отечественных организаций и предприятий:

  • TCAD-RAD-THERM моделей п/п структур в среде Sentaurus Synopsys;
  • SPICE RAD-THERM моделей дискретных п/п приборов и компонентов ИС, встроенных в HSPICE, LTSPICE, OrCad, Eldo, Spectre, СИМИКА и др.

Обе библиотеки содержат:

  • модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, GaAs/GaN MESFET, мощных ДМОПТ, БТ, IGBT и др., учитывающие влияние нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц;
  • модели приборов п. 1 , учитывающие влияние внешней высокой температуры (до +300оС) и внутреннего эффекта «саморазогрева»;
  • модели приборов п. 1 , учитывающие влияние низких (до -263оС) температур (для схем криогенной электроники);
  • модели пассивных компонентов и межсоединений в виде компактных пассивных RtCtLt цепей с температуро-зависимыми параметрами.

Модели превышают зарубежный уровень по части учета ВВФ; аттестованы рядом ведущих отечественных предприятий.

Основные преимущества:

  • отработанная система экстракции параметров, доступная и понятная разработчикам;
  • учет совместного влияния нескольких ВВФ и эффектов старения;
  • расширенный температурный диапазон (-263…+300оС).

Описываются методики определения  (экстракции) параметров TCAD и SPICE моделей компонентов из результатов измерений электро-физических и электрических характеристик приборов в рабочих диапазонах радиационных воздействий и температур.

Приведены примеры использования RAD-THERM моделей в практике разработки и проектирования п/п приборов и цифровых и аналоговых фрагментов БИС и устройств на печатных платах, работающих в условиях действия различных видов радиации, высоких и низких температур.