• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
61/5/3
61 бюджетное место
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
115/30/15
115 бюджетных мест
30 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/15/10
45 бюджетных мест
15 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/50/5
40 бюджетных мест
50 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Информационная безопасность киберфизических систем

2 года
Очная форма обучения
20/5
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Наноэлектроника и квантовые технологии

2 года
Очная форма обучения
35/5/1
35 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системный анализ и математические технологии

2 года
Очная форма обучения
65/15/9
65 бюджетных мест
15 платных мест
9 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Семинар по механике, управлению и информатике совместно с ИКИ РАН

6+
Мероприятие завершено

28 октября 2020 года в 15-00 в МИЭМ совместно с ИКИ РАН состоится семинар по механике, управлению и информатике.

Имеется возможность удаленного участия в заседании через конференцию Zoom. Ссылка для подключения к конференции: 

https://zoom.us/j/93192876466?pwd=RWppZ1pVTldCRzBYcnJwZmZnVGduQT09

Идентификатор конференции: 931 9287 6466 Код доступа: 675222

 

Программа заседания:

К.О. Петросянц (МИЭМ НИУ ВШЭ). TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и компонентов биполярных и КМОП СБИС с учетом радиационных и температурных эффектов

Аннотация доклада:

Рассматриваются две библиотеки моделей микроэлектронных компонентов, разработанные коллективом МИЭМ НИУ ВШЭ и встроенные в промышленные САПР БИС ряда отечественных организаций и предприятий:

  • TCAD-RAD-THERM моделей п/п структур в среде Sentaurus Synopsys;
  • SPICE RAD-THERM моделей дискретных п/п приборов и компонентов ИС, встроенных в HSPICE, LTSPICE, OrCad, Eldo, Spectre, СИМИКА и др.

Обе библиотеки содержат:

  • модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, GaAs/GaN MESFET, мощных ДМОПТ, БТ, IGBT и др., учитывающие влияние нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц;
  • модели приборов п. 1 , учитывающие влияние внешней высокой температуры (до +300оС) и внутреннего эффекта «саморазогрева»;
  • модели приборов п. 1 , учитывающие влияние низких (до -263оС) температур (для схем криогенной электроники);
  • модели пассивных компонентов и межсоединений в виде компактных пассивных RtCtLt цепей с температуро-зависимыми параметрами.

Модели превышают зарубежный уровень по части учета ВВФ; аттестованы рядом ведущих отечественных предприятий.

Основные преимущества:

  • отработанная система экстракции параметров, доступная и понятная разработчикам;
  • учет совместного влияния нескольких ВВФ и эффектов старения;
  • расширенный температурный диапазон (-263…+300оС).

Описываются методики определения  (экстракции) параметров TCAD и SPICE моделей компонентов из результатов измерений электро-физических и электрических характеристик приборов в рабочих диапазонах радиационных воздействий и температур.

Приведены примеры использования RAD-THERM моделей в практике разработки и проектирования п/п приборов и цифровых и аналоговых фрагментов БИС и устройств на печатных платах, работающих в условиях действия различных видов радиации, высоких и низких температур.